Утекли характеристики Snapdragon 4 Gen 6: новый GPU Adreno 6 и поддержка памяти LPDDR5
hulio3343 Вчера, 22:14 11 Новости порталаСогласно утечке, процессор будет производиться по 4-нм техпроцессу TSMC. Архитектура CPU практически не изменится по сравнению с Snapdragon 4 Gen 5: чип получит два производительных ядра Cortex-A78 с 256 КБ кэша L2 на каждое и шесть энергоэффективных Cortex-A55 с 64 КБ кэша L2. Все ядра будут использовать общий 1 МБ кэша L3.
Главным нововведением станет переход на графический ускоритель серии Adreno 6, который заменит GPU поколения Adreno 4. Учитывая, что Snapdragon 4 Gen 5 обеспечил прирост графической производительности примерно на 77% по сравнению с предшественником, новое поколение может предложить ещё более заметное улучшение в играх, анимации интерфейса и воспроизведении мультимедиа.
Также процессор впервые в серии получит поддержку двухканальной памяти LPDDR5 с частотой до 3200 МГц. При этом сохранится совместимость с LPDDR4X, что позволит производителям выпускать как более производительные, так и более доступные модели смартфонов.
В зависимости от устройства Qualcomm предложит два варианта беспроводного модуля. Один включает поддержку Wi-Fi 5 и Bluetooth 5.2, а второй — более современный Wi-Fi 6. Среди новых функций безопасности упоминаются аппаратная проверка изображений с использованием ECC, поддержка Widevine L1 для потокового видео высокого качества и новый модуль Trust Management Engine.
Сам процессор будет выпускаться в корпусе PSP917 размером 11,1 × 12,0 мм, который немного крупнее, чем у предшественника.
Для сравнения, представленный ранее Snapdragon 4 Gen 5 также изготавливается по 4-нм техпроцессу и уже принёс заметный прирост графической производительности и улучшенную поддержку сетей 5G. Snapdragon 4 Gen 6, судя по утечке, станет эволюционным обновлением, сосредоточенным на более мощной графике, современной памяти и дальнейшей оптимизации производительности.
Источник: gizmochina
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.


